圖4：讀寫元件在熱懸浮控制技術(shù)調(diào)整時(shí)的凸起幅度
![""]("http://image.it168.com/cms/2007-5-25/Image/200752511840.JPG")
Spacing
間距
TFC power
熱懸浮控制技術(shù)的功耗
Write induced protrusion
寫入所引起的凸起幅度
Power during read
讀取時(shí)的功耗
Power during write
錄寫時(shí)的功耗
Write gate
錄寫控制門
lw is applied
應(yīng)用lw
Start pre-heat
開始預(yù)熱
Start write
開始寫入
Time
時(shí)間
圖5：在熱懸浮控制技術(shù)下進(jìn)行的錄寫程序
![""]("http://image.it168.com/cms/2007-5-25/Image/2007525111526.JPG")
Spacing
間距
TFC power
熱懸浮控制技術(shù)的功耗
Power during read
讀取時(shí)的功耗
Read gate
讀取閘
Start pre-heat
開始預(yù)先加熱
Start read
開始讀取
Time
時(shí)間
圖6：在熱懸浮控制技術(shù)下進(jìn)行的讀取程序
結(jié)論
讀寫性能的測(cè)試顯示使用熱懸浮控制技術(shù)可將軟錯(cuò)誤率降低30%到40%，這標(biāo)志著軟錯(cuò)誤率(SER)的顯著改善，因而提升了硬盤整體的性能及可靠性。使用熱懸浮控制技術(shù)可使寫入的數(shù)據(jù)更趨于一致，因?yàn)樵谡麄€(gè)錄寫程序中，錄寫元件與磁盤之間的間距保持了固定的距離，從而更好地覆蓋已寫入數(shù)據(jù)，同時(shí)所有數(shù)據(jù)的SER也將更一致化。此外，在廣泛的溫度范圍內(nèi)達(dá)到較一致的數(shù)據(jù)寫入表現(xiàn)可使寫入電流在不同操作溫度下有更好的表現(xiàn)。與上一代的產(chǎn)品比較，熱懸浮控制技術(shù)對(duì)鄰近磁道干擾(ATI)現(xiàn)象也有顯著的改善。日立推出的熱懸浮控制技術(shù)能明顯改善其硬盤的數(shù)據(jù)讀寫程序。它也有助于日立工程師優(yōu)化設(shè)計(jì)以解決由于數(shù)據(jù)持續(xù)寫入而導(dǎo)致的數(shù)據(jù)重寫覆蓋和ATI之間的設(shè)計(jì)沖突。對(duì)讀寫元件和磁盤間距的更精確控制，將為日立客戶帶來更可靠及性能更優(yōu)越的硬盤。
1
