我們知道現在DDR3內存逐步發展，已經成為目前主流的選擇，而且現在性能最高也達到了DDR3-2133，明年DDR4內存將會出現，預計數據傳輸率將會從1600起跳，可以達到4266的水平，是DDR3的兩倍。在很多人看來，內存已經很少給電腦性能帶來太大幫助，DDR4內存是否性能過剩，成為末路黃花?目前還不好說，不管怎么樣，技術總是要向前發展的。

　　今天我們就看到國外媒體有討論DDR4內存的發展。有興趣的朋友可以通過下面的文檔進行了解。

現在Intel平臺內存規格

DDR內存的發展趨勢

　　此前JEDEC固態技術協會就正式宣布未來DDR4內存標準的關鍵技術，預計將會在2012年中，DDR4內存將會具備更高的性能，并且功耗方面更低。

DDR4技術特性全面展示

　　D-DR4針對未來服務器、筆記本、臺式機、消費電子產品進行創新設計，并且具備諸多新的技術特性，首先傳輸率方面，DDR4將會有1.6 GT/s到3.2 GT/s的速度，而目前DDR3是是1.6 GT/s。同時DDR4還包括在DQ bus、更高的2667 Mhz數據傳輸率、Bank群組結構以及集成VrefDQ和增強的訓練模式等等。

DDR4標準的技術規格

　　Bank群組結構是個8n預取群組結構，它可以使用兩個或者四個Bank組，這允許DDR4內存在每個Bank群組單獨被激活、讀取、寫入或刷新操作，這樣可以帶來更高的內存小了和帶寬。

　　同時在電壓方面，DDR4也進行了調整，預計它的VDDQ電壓將會在1.2V，未來還會進一步下調。

　　除此之外還有以下特性將會被采用：

　　提供三種數據寬度：x4, x8和x16

　　新的JEDEC POD12接口標準(工作電壓1.2V)

　　DifferentialSignaling( 差分信號技術)

　　新的終止調度：在DDR4中DQ bus可以轉移終止到VDDQ，這樣可以即時VDD電壓降低的情況下也能保證穩定

　　正常和動態的ODT：改進ODT協議，并且采用新的Park Mode模式可以允許正常終結和動態吸入終結，而不需要去驅動ODT Pin。

　　突發長度和突發停止長度分別為8和4

　　數據遮掩

　　DBI：可以降低功耗并且提升數據信號完整性

　　新的數據總線CRC技術，可以進行傳輸過程中的錯誤偵測，特別對非ECC內存進行寫入操作時有幫助。

　　針對命令和地址總線的新的CA奇偶校驗

　　DLL關閉模式支持

　　為進一步推廣和采用DDR4標準，JEDEC打算在公布標準以后，舉辦DDR4 Technical Workshop會議，更多信息將會在以后正式公布。

DDR4和DDR3內存結構對比

DDR4內存預計將在2012年發布，2015年取代DDR3

內存速度發展方向

性能絕對過剩?DDR4內存發展技術解析

展望DDR4內存發展契機

　　那么回到最初的話題，DDR4能夠給我們帶來真正的好處和實惠呢?

主流DRAM發展藍圖

　　很明顯，未來AMD“Graphics Core Next”GPU將具備X86內存尋址特性，換句話說就是可以和CPU一樣調用系統內存，CPU通過MMU內存控制器訪問內存，而GPU則是通過 IOMMU實現內存調用。這種新技術允許系統設備在虛擬內存中進行尋址，也就是將虛擬內存地址映射為物理內存地址，讓實體設備可以在虛擬的內存環境中工作，這樣可以幫助系統擴充內存容量，提升性能。所以未來將會受益于DDR4內存的高帶寬特性。

　　同時AMD下一代GPU還具備64bit x86指針、Page fault、地址轉換緩存、分配內存的功能，操作系統將會同時為CPU、GPU內存調用全面服務。這樣高速內存就顯得尤為重要了，否則就會給系統性能帶來很大瓶頸。

　　總的來看，DDR4內存還是有它未來發展空間的，它的發展有賴于處理器、顯卡新技術的出現，否則目前DDR3內存已經足夠使用。